|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КМОП - СТРУКТУР С ПОЛИКРЕМНИЕВЫМ ЗАТВОРОМ |  |
Номер публикации патента: 2056673 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/82 | | Аналоги изобретения: | 1. Заявка Японии N 55-14538, кл. H 01L 27/08, 1980. 2. Патент США N 4621412, кл. H 01L 21/425, 1986. 3. Заявка Японии N 61-15595, кл. H 01L 21/00, 1986. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество "Минский часовой завод" (BY) | | Изобретатели: | Плащинский Геннадий Иосифович[BY]
Смирнов Александр Михайлович[BY] | | Патентообладатели: | Акционерное общество "Минский часовой завод" (BY) |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике, в способах полупроводниковых интегральных КМОП-схем. Сущность изобретения: осуществляют травление окисного слоя над областями стоков и истоков n-канальных транзисторов, после легирования поликремния формируют маску, соответствующую топологическому рисунку электрода затвора, и проводят окисление поликремния в областях, не защищенных маской, при этом осуществляется легирование областей стоков и истоков n-канальных транзисторов из слоя легированного поликремния с о
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента