|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НИЗКООМНОГО КОНТАКТА К КРЕМНИЮ |  |
Номер публикации патента: 2065226 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/28 | | Аналоги изобретения: | 1. J.Electrochem Soc.- 1985, v. 132, N 10, р.1127 - 1134. 2. Технология СБИС/Пер. с англ. под ред.С.Зи.- М.: Мир, 1986, кн. 2, с.87 - 88. 3. Авторское свидетельство СССР N 1829751, кл. H 01 L 21/02, 1992. |
| Имя заявителя: | Институт микроэлектроники РАН | | Изобретатели: | Чистяков В.В.
Зимин С.П.
Винке А.Л. | | Патентообладатели: | Институт микроэлектроники РАН |
Реферат | |
Использование: в области технологии полупроводниковых приборов, при изготовлении различных интегральных датчиков и преобразователей, фото- и оптоэлектронных устройств, включающих слои пористого кремния и контакты алюминий-кремний. Сущность изобретения: на кремниевой подложке п-типа проводимости получают путем анодирования слой пористого кремния. Наносят поверх слоя пористого кремния слой алюминия и вжигают его в инертной среде при 300-350 град. в течение 10-15 мин.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента