|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ОМИЧЕСКИЙ КОНТАКТ К КРЕМНИЕВУ СОЛНЕЧНОМУ ЭЛЕМЕНТУ |  |
Номер публикации патента: 2065227 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/28 | | Аналоги изобретения: | \1. Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики.- М.: Мир, 1988, с.201 - 205. 2. Spitzer M.B., Keavnej C.J., Geoffray L.M. Theoretical and experimental considerations for high silicon solar cells performance// Sollar cells. - 1986, v. 17, N 1, р.135 - 149. 3. Solar Cells. - 1987, v. 20, N 1, р.333 - 343. 4. Pereyra J., Andrade A.M. Improved reproducibillty in the Ni/Sn - Pb metallirazation process for crystalline silicon solar cells. Solar Cells.- 1984, N 12, p. 285 - 294. |
| Имя заявителя: | Александров Борис Александрович | | Изобретатели: | Александров Борис Александрович
Васильев Вячеслав Валентинович
Зиновьев Константин Владимирович
Рубчиц Вадим Григорьевич | | Патентообладатели: | Александров Борис Александрович
Васильев Вячеслав Валентинович
Зиновьев Константин Владимирович
Рубчиц Вадим Григорье |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в фотоэнергетике, преимущественно в солнечных элементах при преобразовании излучения высокой плотности. Сущность: омический контакт состоит из переходного слоя силицида никеля толщиной 0,02 - 0,08 мкм, слоя никеля толщиной 0,2 - 1,0 мкм, слоя меди толщиной 3 - 8 мкм и слоя оловосодержащего припоя толщиной 3 - 10 мкм. Силицид никеля обеспечивает низкое переходное сопротивление контакта, слой никеля служит экраном от диффузии меди в кремний, слой меди обеспечивает низкое электрическое сопротивление контакта. 1 ил.,1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента