|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ ХАЛЬКОГЕНАМИ |  |
Номер публикации патента: 2069414 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/265 | | Аналоги изобретения: | 1. N. Sclar. The effect of dopant diffusion vapor pressure on the properties of sulphur and selenium doped silicon infrared detectors. - J. of Applied physics. v. 52, N 8, p. 5207 - 5212. 2. Астрова Е.В., Большаков И.Б., Лебедев А.А., Махно О.А. Фотопроводимость кремния, легированного селеном. - ФТП, т. 19, с. 919 - 922. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО РАН | | Изобретатели: | Зайцев Б.А.
Мясников А.М.
Таскин А.А.
Тишковский Е.Г.
Чистохин И.Б. | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников СО РАН |
Реферат | |
Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов, в частности в процессах легирования кремния халькогенами, и может быть использовано при изготовлении термодатчиков, фотоприемников. Сущность: способ включает в себя ионное легирование, отжиг и диффузионную разгонку примеси при температуре 600 - 1350oC и последующую закалку. Закалку проводят посредством импульсного отжига в течение от 80 миллисекунд до 10 секунд с удельной мощностью от 50 Вт/см2 до 1 кВт/см2. 3 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента