|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР ФОТОЛИТОГРАФИЕЙ |  |
Номер публикации патента: 2071142 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/30 | | Аналоги изобретения: | 1. Моро У. Микролитография. Принципы, методы, материалы.- М.: Мир, 1990, с. 156. 2. Патент России N 1454116, кл. G 03 F 7/26, 1993. |
| Имя заявителя: | Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН | | Изобретатели: | Кудряшов В.А. | | Патентообладатели: | Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН |
Реферат | |
Использование: при формировании структур методом обратной литографии. Сущность изобретения: наносят на подложку слой позитивного фоторезиста, облучают его пучком электронов, экспонируют рисунок ультрафиолетовым излучением, проявляют, напыляют дополнительный слой материала и удаляют резист. Новым в способе является то, что облучение пучком электроном проводят после экспонирования рисунка ультрафиолетовым излучением, причем энергия электронов в пучке составляет 3-6 КэВ, а доза облучения достаточна
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента