|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОЕВ НА ИЗОЛЯТОРЕ ИЛИ ДРУГОМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ МАТЕРИАЛЕ |  |
Номер публикации патента: 2071145 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/784 | | Аналоги изобретения: | 1. Yilicon direct bonding (Jiliconon sulator by wafer bonding : A Review by W.P. Maszara J.Elecgrochem. Society, vol.138, N 1, 1991, p. 341 - 347. 2. J.B. Jacrey, S.R. Stiffler, F.K. White and J.R. Abernathey Digest of Techn. Papers JEDM-85, p. 684, 1985. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт "Пульсар" | | Изобретатели: | Енишерлова-Вельяшева К.Л.
Русак Т.Ф.
Сарайкин В.В.
Шмелева Г.Г.
Савушкин Ю.А. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт "Пульсар" |
Реферат | |
Использование: в технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе формирования тонких монокристаллических слоев на изоляторе или другом полупроводниковом материале сначала проводят термокомпрессионное соединение рабочей пластины с пластиной-носителем, при этом соотношение площадей рабочей пластины и пластины-носителя не более 0,85, затем формируют на поверхности рабочей пластины, свободной от соединения, стопорный слой с твердостью, в 1,5 раза превышающей твердо
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента