|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДАТЧИКОВ ДАВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2075137 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/78 | | Аналоги изобретения: | Ko W.H.,Suminto J.T. and Zeh G.J. Bonding Techniaws for microsensors. Micromachining and micropackaging of Transducers, Elsevier. Science Publichers B.V.,Amsterdam, 1985, p.41 - 61. Патент США N 4384899, кл. H 01 L 21/02, 1981. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт физических измерений | | Изобретатели: | Козин С.А. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт физических измерений |
Реферат | |
Использование: в измерительной технике. Сущность изобретения: на кремниевой пластине создают пленку термического окисла и фотолитографией формируют в пленке окна под тензорезисторы. Проводят полное легирование в окна и разгонку легирующей примеси в окислительной атмосфере, создавая при этом пленку из SiО2 и под тензорезисторами. На противоположной тензорезисторам стороне пластине в пленке SiO2 формируют окна под профили и углубления по периметру датчиков. Вытравливают профили и углубления. Кремниевую пластину соединяют с несущей пластиной. Можно соединять кремниевую пластину с несущей через покрытую двуокисью кремния дополнительную пластину, содержащую сквозные отверстия, соответствующие профилю тензочувствительных, элементов и совмещенную с первой кремниевой пластиной. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента