|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПЛАНАРНОЙ СТОРОНЕ СТРУКТУРЫ С ЛОКАЛЬНЫМИ ОБЛАСТЯМИ НИЗКОЛЕГИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ГРУППЫ А3В5 |  |
Номер публикации патента: 2084988 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/28 | | Аналоги изобретения: | 1. Appl. Phys. Zett., 41(5), 1 September, 1982, р.485-487. 2. Патент Японии N 213944, кл. H 01 L 21/28, 1990. 3. Зарубежная электронная техника, 1987, май, 5 (312), с.23. 4. G.H. Olsen. Zaser diodes for Rang. J. of Optical communications, 2, 1981, р.11-19. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт "Волга" | | Изобретатели: | Минеева М.А.
Муракаева Г.А. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт "Волга" |
Реферат | |
Использование: при разработке и изготовлении лазерных диодов, светодиодов и других приборов. Сущность: способ включает нанесение на полупроводниковую структуру диэлектрической пленки из двуокиси кремния, нанесение вспомогательного диэлектрического слоя, формирование локальных областей под контакты с помощью резистивной маски, нанесение контактного материала первого уровня, формирование локальных металлических контактов "взрывной" фотолитографией путем растворения вспомогательного диэлектрического слоя под ненужными металлическими областями. В качестве вспомогательного диэлектрического слоя наносят пленку оксида европия (Eu2O3), в качестве металлизации первого уровня наносят сплавы, обеспечивающие создание омических контактов к низколегированным полупроводникам A3B5 или p-типа (Au : Zn (Be, Mn) - для p-типа, (Au : Ge (Te, Sn) -для n-типа и селективность травления относительно пленки оксида европия, которые подвергаются отжигу, а в качестве металлизации второго уровня наносят адгезионный подслой из ванадия (V) или хрома (Cr), а затем один из контактных материалов: Au, Ni, Al и другие. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента