|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР |  |
Номер публикации патента: 2087049 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/26 | | Аналоги изобретения: | 1. Павлов П.В., Пашков В.И., Скупов В.Д. Влияние обработки ионами средних энергий на внутреннее механическое напряжение в эпитаксиальных структурах. Электронная техника. Сер. 7, ТОПО, 1980, вып. 6 (103), с. 24 - 26. 2. Кольченко Т.И., Ломако В.М., Марончук И.Е. Наблюдение процессов миграции первичных радиационных дефектов в GaAs. Физика и техника полупроводников. 1981, т. 15, вып. 3, с. 580 - 583. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | | Изобретатели: | Скупов В.Д.
Ивин А.Л.
Комарова Т.В. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | |
Использование: в технологии микроэлектроники, в частности, при изготовлении дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: производят периодическое облучение структур с нерабочей стороны потоком альфа-частиц от радиоизотопного источника излучения с частотой из миллигерцевого диапазона с равными полупериодами облучение-необлучение и производят регистрацию с рабочей стороны до и после облучения одного из физических параметров, чувствительного к наличию в структуре кристаллографических дефектов, при этом циклы облучение- необлучение повторяют до стабилизации фиксируемого параметра, а после облучения структуры выдерживают в нормальных условиях до полного прекращения релаксационных процессов.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента