|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| БАЗОВЫЙ МАТРИЧНЫЙ КРИСТАЛЛ ОПЕРАТИВНОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА |  |
Номер публикации патента: 2089012 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/82 | | Аналоги изобретения: | 1. Заявка ЕПВ N 0093003, кл. H 03 L 23/02, 1983. 2 Braeckelmann W. Delker K., Gonauser E. et al A Subnanosecond Masterslice Array Offering Logic Plus Memoru. IEEE Anternational Solid - State Circuits Conference 1979, p. 64, 65, 280, fig. 2,5. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон" | | Изобретатели: | Игнатьев С.М. | | Патентообладатели: | Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон" |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковым интегральным схемам и предназначено для использования в оперативных запоминающих устройствах, выполняемых на основе базовых матричных кристаллов. Цель: в расширении функциональных возможностей базового матричного кристалла оперативного запоминающего устройства за счет того, что благодаря введению конструктивных элементов: входов - выходов 7 обмена информации, трасс 3 для размещения дополнительных словарных шин 4 и трасс 8 для размещения связей 9 обмена информации, создается возможность формирования на основе матрицы элементов памяти запоминающих ячеек 10 и содержащих их накопителей информации с параллельным доступом по варьируемому в некоторых пределах числу независимых произвольно адресуемых информационных каналов - портов. Базовый матричный кристалл также содержит входы 2 выборки, информационные входы - выходы 5 и разрядные шины 6. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента