|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ СТРУКТУР |  |
Номер публикации патента: 2090952 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/84 | | Аналоги изобретения: | 1. Зарубежная электронная техника, N 15, 1978, с.42. 2. Микроэлектроника. Т.23, вып.6, 1994, с.55. 3. Горяинов С.А. Диэлектрическая изоляция элементов интегральных схем. - М.: Сов.радио, 1975, с.39-42. |
| Имя заявителя: | Хаустов Владимир Анатольевич | | Изобретатели: | Хаустов Владимир Анатольевич | | Патентообладатели: | Хаустов Владимир Анатольевич |
Реферат | |
Использование: в технологии интегральных микросхем, формируемых на основе кремний на изоляторе (КНИ) структур. Сущность изобретения: нелитографическими методами на поверхности кремниевой пластины создается маска. Рисунком маски является совокупность отверстий произвольной формы с размером менее микрона, отстоящих друг от друга на расстоянии не превышающем микрона. Травлением через маску с таким рисунком в кремниевой пластине формируют колодцы. Стенки колодцев маскируют нитридом кремния. Затем окисляют кремний пластины. Окисел кремния растет со дна колодцев и смыкается в сплошной слой, отделяющий монокристаллическую пленку кремния с отверстиями от кремниевой пластины. На монокристаллической пленке кремния с отверстиями осуществляют эпитаксию кремния и в результате получают КНИ структуру с гладкой поверхностью кремниевого слоя. Способ позволяет повысить производительность процесса изготовления КНИ - структур. 6 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента