|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ СТРУКТУР |  |
Номер публикации патента: 2096865 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/84 | | Аналоги изобретения: | Appl.Phys. Lett. 1988, v. 53, p.2626. RU, заявка, 92002178, кл.H 01L 21/84, 1995. |
| Имя заявителя: | Хаустов Владимир Анатольевич | | Изобретатели: | Хаустов Владимир Анатольевич | | Патентообладатели: | Хаустов Владимир Анатольевич |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике, более конкретно к технологии интегральных микросхем, формируемых на основе кремний на изоляторе (КНИ) структур. Сущность: нелитографическими методами на поверхности исходной подложки создается маска. Рисунком маски является совокупность отверстий произвольной формы и субмикронных размеров, отстоящих друг от друга на субмикронные расстояния. Травлением через полученную маску в кремниевой пластине формируют колодцы. Стенки колодцев маскируют нитридом кремния. Затем структуру окисляют. Окисел кремния растет со дна колодцев и смыкается в сплошной слой, отделяющий монокристаллическую пленку кремния с отверстиями от кремниевой пластины. На боковой поверхности отверстий в монокристаллической пленке кремния проводят эпитаксию до зарастания этих отверстий монокристаллическим кремнием. И получают таким образом КНИ структуру. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента