|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МЕМБРАН В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ |  |
Номер публикации патента: 2099813 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/308 | | Аналоги изобретения: | 1. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников / Под ред. Б.Д.Луфт. - М.: Радио и связь, 1982, с.119 - 121. 2. Xiang-Zheng Tu.I.Electrochem. Soc. 1988, v.135, N 8, p. 2105. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | | Изобретатели: | Скупов В.Д.
Перевощиков В.А.
Шенгуров В.Г. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | |
Способ формирования мембран в монокристаллической кремниевой подложке. Использование: в области технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: для формирования мембран наносят защитное покрытие на поверхность кремния, производят вскрытие в защитном покрытии окон и формируют через окна на неработающей стороне подложки слой пористого кремния на заданную глубину путем анодной обработки в растворе фтористоводородной кислоты, затем нерабочую сторону подложки защищают химически стойким покрытием, а на рабочей стороне подложки в слое монокристаллического кремния создают отверстия до пористого кремния и производят удаление пористого кремния травлением в растворе щелочи, дополнительно содержащем этиленгликоль. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента