|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИМПУЛЬСНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ |  |
Номер публикации патента: 2103765 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/02 | | Аналоги изобретения: | 1. V.Rebondy, haval M.Revue de Physique Appliquee, t.12, Febrier, 1977, 311. 2. V.Farate et al. Phys.State Sol. 39, 1977, 337. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт импульсной техники | | Изобретатели: | Поляков А.И. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт импульсной техники |
Реферат | |
Способ изготовления чувствительных элементов для полупроводниковых детекторов импульсного ионизирующего излучения на основе теллурида кадмия. Использование: полупроводниковая техника. Детектор, изготовленный предложенным способом используется при регистрации импульсного ионизирующего излучения и исследований спектрального состава и плотности потока высокоинтенсивного излучения электрофизических установок, в частности, линейных ускорителей, импульсных реакторов. Сущность изобретения: способ изготовления чувствительных элементов для полупроводниковых детекторов импульсного ионизирующего излучения на основе теллурида кадмия характеризуется тем, что таблетки из CdTe располагают друг за другом на подложке, теплоемкость которой C т, где Cт - суммарная теплоемкость таблеток, предварительно до спекания помещают подложку с таблетками в зону печи с T = 470 - -670oK на время 5 минут со скоростью V1 > 5 см/с, вводят подложку в зону печи с постоянной температурой интервала T = 970 - 1170oK, спекают таблетки в течение 0,3 - 3 минут, после чего выводят подложку со скоростью V2 > 10 см/с в зону печи с T <370oK, все операции проводят в атмосфере чистого аргона. Согласно изобретению предварительно до выполнения указанных операций, для каждой таблетки порошок теллурида кадмия, предназначенный для фронтального и тыльного слоев, обрабатывают разбавленной азотной кислотой в течение 20 - 30 с, промывают деионизованной водой и сушат, из полученного обработанного порошка формируют тыльный слой, подпрессовывают его, на нем формируют средний слой из исходного порошка CdTe, подпрессовывают эти два слоя, из обработанного порошка CdTe на среднем слое формируют фронтальный слой толщиной 0,3 мм
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента