|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКОГО РИСУНКА В ПЛЕНКЕ ДВУОКИСИ КРЕМНИЯ НА РЕЛЬЕФНОЙ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВОЙ ПЛАСТИНЫ |  |
Номер публикации патента: 2111576 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/312 | | Аналоги изобретения: | 1. Пресс Ф.П. Фотолитографические методы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. - М.: Советсткое радио, 1978, с.78, 79. 2. SU, авторское свидетельство, 1671066, кл. H 01 L 21/02, 1991. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт физических измерений | | Изобретатели: | Козин С.А.
Чистякова Т.Г. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт физических измерений |
Реферат | |
Использование: изобретение может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, например датчиков механических параметров. Сущность изобретения: при формировании фотолитографического рисунка в пленке двуокиси кремния на рельефной поверхности кремниевой пластины наносят позитивный фоторезист, экспонируют через фотошаблон, проявляют и термообрабатывают фоторезист, перед нанесением фоторезиста на пластину напыляют пленку меди толщиной до 2,0 мкм, после нанесения фоторезиста проводят его экспонирование через фотошаблон с негативным изображением формируемых окон рисунка, после проявления и термообработки фоторезиста электрохимическим наращиванием увеличивают толщину пленки меди в 3 - 10 раз, на участках рельефа, непокрытых фоторезистом, удаляют фоторезист, стравливают по всей поверхности пластины слой меди на глубину, равную толщине первоначального напыления, открывая при этом в окнах пленку двуокиси кремния, стравливают пленку двуокиси кремния, а затем удаляют металл. 7 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента