|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ ОКСИДА ЦИНКА НА НЕОРИЕНТИРУЮЩИХ ПОДЛОЖКАХ |  |
Номер публикации патента: 2139596 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/363 C30B025/02 | | Аналоги изобретения: | Клыков В.И. и др. Графоэпитексия оксида цинка. Известия АН Латвийской СССР. Серия физических и технических наук, 1985, N 1, c.92-96. Шевтель Н.Н. Закономерности реального кристаллообразования и некоторые принципы выращивания монокристаллов. Рост кристаллов, т.10. - М.: Наука, 1974, с.195-220. US 4623426 A, 18.11.86. |
| Имя заявителя: | Институт физики Дагестанского научного центра РАН | | Изобретатели: | Атаев Б.М.
Камилов И.К.
Багамадова А.М.
Мамедов В.В.
Омаев А.К. | | Патентообладатели: | Институт физики Дагестанского научного центра РАН |
Реферат | |
Использование: в электронной технике. Сущность: предложен способ получения монокристаллических слоев оксида цинка на неориентирующих подложках из стекла, керамики, плавленого кварца, тугоплавкого металла или полупроводника с отличными от оксида цинка постоянными решеток - методом химических транспортных реакций (ХТР) в проточном реакторе пониженного давления в атмосфере водорода. Для обеспечения автоэпитаксии на поверхность неориентирующей подложки предварительно методом магнетронного распыления наносят оптимизированный промежуточный слой оксида цинка толщиной 200-1000  представляющий собой текстуру базисной ориентации вне зависимости от ориентирующих свойств подложек. Техническим результатом изобретения является получение эпитаксиальных слоев ZnO на неориентирующих подложках методом ХТР с высоким структурным совершенством, однородностью и очень гладкой поверхностью. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента