|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ТЕРМОБАРИЧЕСКОГО ОТЖИГА КОМПЛЕКСНЫХ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ЯДЕРНО - ЛЕГИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВАХ |  |
Номер публикации патента: 2141544 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B031/20 C30B033/00 H01L021/26 | | Дополн. коды МПК: | C30B029/06 | | Аналоги изобретения: | DE 2 516 514 A, 05.01.78. SU 758 316 A, 28.08.80. EP 0 506 020 A1, 30.09.92. US 4 260 448 A, 07.04.81. US 4 129 463 A, 12.12.78. JP 041 32693 A, 06.05.92. JP 061 04199 A, 15.04.94. Зайнабидинов С.З. и др. Барические необработанные эффекты в кремнии с примесными преципитатами. "Физика и техника полупроводников", 1987, 21, N 4, с.766 - 767. |
| Имя заявителя: | Закрытое акционерное общество "ЭЛЛИНА - НТ" | | Изобретатели: | Прохоров А.М.
Петров Г.Н.
Лященко Б.Г.
Гарусов Ю.В.
Шевченко В.Г. | | Патентообладатели: | Закрытое акционерное общество "ЭЛЛИНА - НТ" |
Реферат | |
Изобретение может быть использовано в ядерной технологии. Слиток поли- или монокристаллического полупроводникового материала помещают в сосуд высокого давления, подключенный к гидрокомпрессионной установке, заливают и кристаллизуют висмутовую или из висмутового сплава оболочку вокруг слитка полупроводникового материала с приблизительно равными по величине стенкой оболочки и диаметром слитка, помещают сосуды высокого давления в облучательный канал ядерно-физической установки, поднимают давление до полиморфного превращения в висмуте или в висмутовом сплаве, поднимают температуру сосуда до нормативной температуры отжига, проводят ядерное легирование слитка полупроводникового материала по установленному дозно-временному регламенту, далее, в обратной последовательности, выполнят названные выше операции, которые на финише дополняют дозиметрическим контролем сосуда высокого давления, его дезактивацией, выправлением висмута или висмутового сплава, снятием поверхностного слоя со слитка полупроводникового материала, его резкой. Высокобарический отжиг способствует разрушению комплексных дефектов, возникающих в процессе нейтронной активации.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента