На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ СЕНСОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2143678

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  98108267		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: в микроэлектронике, в частности в технологии изготовления интегральных газовых сенсоров с тонкими диэлектрическими мембранами (1-5 мкм). Сущность изобретения состоит в том, что полупроводниковый газовый сенсор представляет собой устройство, включающее диэлектрическую мембрану, области нагревателя, чувствительного слоя, электродов, контактных площадок и специальную плату с рабочим окном и контактными площадками. При этом диэлектрическая мембрана расположена над платой таким образом, что области нагревателя и чувствительного слоя находятся напротив рабочего окна, а контактные площадки, расположенные на диэлектрической мембране, непосредственно электрически связаны с контактными площадками специальной платы. Практическая реализация заключается в том, что в начале проводят разделение пластины на кристаллы, осуществляют посадку кристалла на специальную плату с рабочим окном, расположенным напротив области нагревателя, а затем проводят полное травление кремния. Техническим результатом изобретения является снижение мощности потребления и исключение механического повреждения мембраны на этапе разделения пластины на кристаллы. 2 с.п. ф-лы, 1 ил.

Вернуться к списку