|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР СО СКРЫТЫМ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМ СЛОЕМ |  |
Номер публикации патента: 2151446 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/762 | | Аналоги изобретения: | УЭББЕР С. Эффективные методы изготовления СБИС повышенной радиационной стойкости. - Электроника, 1987, т. 60, N 24, с. 48 - 52. КРАВЧЕНКО В.М. и др. Современное состояние ДНД-технологии. - Зарубежная электронная техника, 1989, N 9 (340), с. 14 - 17. SU 1 581 124 A, 10.01.1996. RU 93 042 525 A, 20.02.1996. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | | Изобретатели: | Скупов В.Д.
Смолин В.К. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | |
Использование: в области производства полупроводниковых приборов для создания структур "кремний на изоляторе". Сущность изобретения: путем анодной обработки в растворе фтористоводородной кислоты в рабочей пластине со стороны, контактирующей со слоем диэлектрика пластины-носителя, формируют ориентированные нормально к поверхности пластины на глубину не менее толщины приборного слоя области пористого кремния, затем производят термокомпрессионное соединение через слой диэлектрика рабочей пластины и пластины-носителя, а затем производят абразивно-химическое утонение рабочей пластины до заданной толщины приборного слоя. Технический результат - повышение качества приборных слоев кремниевых структур со скрытым диэлектрическим слоем за счет снижения их дефектности. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента