|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ОМИЧЕСКАЯ КОНТАКТНАЯ СТРУКТУРА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2155417 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/28 | | Аналоги изобретения: | US 5108954 A, 28.04.1992. US 4738937 A, 19.04.1988. US 4540446 A, 10.09.1985. EP 0024625 A2, 11.03.1981. EP 0098941 A1, 25.01.1984. EP 0538682 A2, 28.04.1993. SU 118909 A, 1959. SU 325908 A, 16.09.1974. |
| Имя заявителя: | САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД. (KR) | | Изобретатели: | Сангин ЛИ (KR)
Соонох ПАРК (KR) | | Патентообладатели: | САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО.
ЛТД. (KR) |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, для соединения электрода с полупроводниковым прибором высокой степени интеграции. Сущность изобретения: омическая контактная структура включает в себя область перехода, легированную примесью, на кремниевой подложке, первый слой управления сопротивлением с пониженным удельным сопротивлением, избирательно созданный на контактном окне в изолирующем слое над областью перехода, второй слой управления сопротивлением, сформированный из германия, и проводящий слой, образу
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента