|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ P - N - ПЕРЕХОДА, ЛЕГИРОВАННОГО ЭЛЕМЕНТАМИ ИЛИ ИЗОТОПАМИ С АНОМАЛЬНО ВЫСОКИМ СЕЧЕНИЕМ ПОГЛОЩЕНИЯ НЕЙТРОНОВ |  |
Номер публикации патента: 2156009 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/225 | | Аналоги изобретения: | КУРНОСОВ А.И., ЮДИН В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. - М.: Высшая школа, 1979, с.127. SU 679025, 07.08.1981. СМИРНОВ Л.С. и др. Легирование полупроводников методом ядерных реакций. - Новосибирск: Наука, 1981, с.132. RU 2089011 C1, 27.08.1997. RU 2008373 C1, 28.02.1994. |
| Имя заявителя: | ЗАКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ЭЛЛИНА-НТ" | | Изобретатели: | Прохоров А.М.
Петров Г.Н.
Лященко Б.Г.
Гарусов Ю.В.
Шевченко В.Г. | | Патентообладатели: | ЗАКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ЭЛЛИНА-НТ" |
Реферат | |
Использование: технология получения р-n-переходов. Сущность изобретения: в способе изготовления р-n-перехода, легированного элементами или стабильными изотопами с аномально высоким сечением поглощения тепловых нейтронов (литий, бор и другие), диффузионную загонку легирующей примеси осуществляют путем помещения сборки "пластина основного материала + источник диффузии" в облучательный канал атомного реактора импульсного или непрерывного действия, в результате чего происходит локальный разогрев до в
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента