|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ - НА - ИЗОЛЯТОРЕ |  |
Номер публикации патента: 2164719 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/324 | | Аналоги изобретения: | S.KPAUSE et al. MRS BULLETIN, 1998, 12, p. 25 - 29. WO 9842010 A1, 24.09.1998. RU 2086039 C1, 27.07.1997. RU 2018194 C1, 15.08.1994. US 5387555 A, 07.02.1995. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО РАН | | Изобретатели: | Попов В.П.
Антонова И.В.
Стась В.Ф.
Миронова Л.В. | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников СО РАН
Попов Владимир Павлович
Антонова Ирина Вениаминовна
Стась Владимир Федосеевич
Миронова Людмила Владимировна |
Реферат | |
Использование: полупроводниковая технология, создание структур кремний-на-изоляторе для производства современных сверхбольших интегральных схем и других изделий микроэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе состоит в имплантации водорода в интервале доз 2,5·1016 - 5·1016 см-2 в первую пластину кремния через тонкий защитный слой окисла толщиной 20-50 нм с последующим удалением его после облучения, окислении второй пластины до подготовки пластин к соединению, химической обработке облученной и второй пластины кремния, их соединении, последующей термообработке для сращивания пластин и расслоения облученной пластины при температурах 150-250°С в течение 1-2 ч и 350-450°С в течение 0,5-2 ч, высокотемпературной термообработке при 1100°С в течение 0,5-1 ч, улучшающей ряд свойств структуры, и удалении приповерхностного нарушенного слоя кремния. Техническим результатом изобретения является улучшение свойств границы раздела Si/SiO2 в структурах, а также снижение радиационно-термического воздействия, необходимого для создания структур кремний-на-изоляторе, что, в свою очередь, приведет к уменьшению стоимости структур. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента