|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ СТРУКТУР ОЧЕНЬ МАЛОГО РАЗМЕРА НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКЕ |  |
Номер публикации патента: 2168797 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/8247 H01L021/28 | | Аналоги изобретения: | EP 0197284 A2, 15.10.1986. US 4513397 A, 23.04.1985. US 5225362 A, 06.07.1993. SU 1421186 A1, 10.05.1996. |
| Имя заявителя: | СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ (DE) | | Изобретатели: | Мартин КЕРБЕР (DE) | | Патентообладатели: | СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ (DE) |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: способ изготовления элементов структур очень малого размера на полупроводниковой подложке предусматривает изготовление многослойной защитной структуры, формирование на ней первого слоя, например поликристаллического кремния, изготовление на нем структуры, осаждение второго слоя, который может селективно травиться относительно первого слоя, анизотропно травят второй слой, оставляя микроструктуру на краю структуры, формируют оксид вокруг микрос
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента