|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ СБОРКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ |  |
Номер публикации патента: 2171520 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/52 | | Аналоги изобретения: | ЯКОВЛЕВ Г.А. Пайка материалов припоями на основе свинца. - М.: ЦНИИ "Электроника". Сер.7: Технология, организация производства и оборудование. Вып.9 (556). - 1978, с.58. RU 2033659 C1, 20.04.1995. WO 98/15974 A1, 16.04.1998. EP 0817254 A2, 07.01.1998. US 5525548 A, 11.06.1996. |
| Имя заявителя: | Воронежский государственный технический университет | | Изобретатели: | Сегал Ю.Е.
Зенин В.В.
Фоменко Ю.Л.
Колбенков А.А. | | Патентообладатели: | Воронежский государственный технический университет
АООТ "Воронежский завод полупроводниковых приборов" |
Реферат | |
Использование: в области изготовления полупроводниковых приборов путем бесфлюсовой пайки на воздухе без применения защитных сред, может быть использовано при сборке диодов Шоттки и биполярных транзисторов путем пайки полупроводниковых кристаллов к корпусам припоями на основе свинца. Сущность изобретения: способ сборки полупроводниковых приборов заключается в том, что на основании корпуса размещают фильтрующий и легирующий элемент, на который помещают навеску припоя и кристалл, а кассету с собранными приборами загружают в конвейерную водородную печь при температуре пайки 370°С. Новым в способе является то, что полупроводниковые кристаллы с припоем на коллекторной стороне фиксируют в перевернутом положении в ячейках вакуумной присоски и совмещают с контактными площадками корпусов приборов, а нагрев до температуры пайки осуществляют на воздухе импульсом тока через V-образные электроды, которые жестко закреплены в кронштейне, электрически последовательно соединены друг с другом и расположены дифференцированно над каждым кристаллом, а в момент расплавления припоя вакуумную присоску с кристаллами подвергают воздействию ультразвуковых колебаний в направлении, параллельном паяному шву, при этом давление на каждый кристалл осуществляют массой корпуса прибора и кронштейна с электродами. Техническим результатом изобретения является повышение надежности полупроводниковых приборов за счет снижения температуры нагрева при пайке поверхности кристалла со структурами, улучшение смачивания припоем соединяемых поверхностей, повышение производительности сборочных операций за счет групповой пайки кристаллов к корпусам. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента