|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КЕРАМИЧЕСКИХ ПЛАСТИН |  |
Номер публикации патента: 2173004 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/84 | | Аналоги изобретения: | M.I.FALEY et all. Operation of HTS dc-SQUID sensors in high magnetic fields. IEEE Trans. On Appl. Supercond., v.9, 1999, p.3386. Y.ZHANG et all. Operation of rf SQUID Magnetometers with a multiturn flux transformer integrated with a superconducting labyrinth resonator. IEEE Trans. On Appl. Supercond., v.9, 1999, p.3396. RU 1823732 A1, 09.07.1995. US 5270294 А, 14.12.1993. JP 1086578 A, 31.03.1989. RU 2090954 C1, 20.09.1997. |
| Имя заявителя: | Новосибирский государственный технический университет | | Изобретатели: | Фирсов Н.И.
Новиков И.Л.
Хуснутдинов Р.Ф.
Квасов С.Б. | | Патентообладатели: | Новосибирский государственный технический университет |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве интегральных микросхем с поликристаллическими активными и пассивными компонентами. Сущность изобретения: способ изготовления керамических пластин включает отливку пластин в формы под давлением, извлечение органической связки из отливок, их высокотемпературную обработку, изготовление микрорельефа. Операцию отливки пластин в формы совмещают с операцией изготовления микрорельефа путем вклеивания в боковые стенки литьевых форм пластин кремния с требуемым микрорельефом, который получают путем нанесения фоторезиста на пластину кремния и формирования с помощью фотошаблона негативного изображения топологического рисунка, после чего через вскрытые в фоторезисте окна химическим способом удаляют слой SiO2, а затем снимают фоторезист и проводят анизотропное травление пластины кремния на требуемую глубину путем регулирования времени травления, а потом проводят термические технологические операции. Техническим результатом изобретения является получение более качественного топологического рисунка микрорельефа, удешевление технологического процесса и снижение трудоемкости изделий. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента