Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО УСТРОЙСТВА

Номер публикации патента: 2176423

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 97107096/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/8242    
Аналоги изобретения: J.Y. Yoon et al. A New Capacitor on Metal (COM) Cell for Beyond 256 M bit DRAM. 1994, Symposium on VLSI Technology Digest of Technology Papers, 1994, рр.135-136. US 5478768 А, 26.12.1995. US 5447878 А, 05.09.1995. WO 96/22612 А, 25.07.1996. RU 2029995 С1, 27.02.1995. 

Имя заявителя: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД. (KR) 
Изобретатели: ЛИ Джо-Янг (KR)
КИМ Ки-Нам (KR) 
Патентообладатели: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО.
ЛТД. (KR) 

Реферат


Использование: для изготовления полупроводникового запоминающего устройства, имеющего структуру типа "конденсатор на металле". Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового устройства, имеющего структуру типа "конденсатор на металле", накопительный контакт в области матрицы ячеек и металлический контакт для локального межсоединения в области периферийной схемы формируют одновременно.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"