|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ НАНОСТРУКТУР |  |
Номер публикации патента: 2183364 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/30 | | Аналоги изобретения: | DAD O. at al. А new form of luminescent silicon-sinthesis of silicon nanoclusters in zeolites-Y.-Zeolite and Related Microporous materials: State of tne Art.- 1994, v.84, рр.1107-1114. RU 2129320 С1, 20.04.1999. RU 2007783 С1, 15.02.1994. RU 2105384 С1, 20.02.1998. |
| Имя заявителя: | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | | Изобретатели: | Богомолов В.Н.
Соколов В.И. | | Патентообладатели: | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН |
Реферат | |
Способ получения кремниевых наноструктур относится к электронике и может найти применение при изготовлении наноэлектронных структур субмикронных размеров, используемых для передачи, преобразования, хранения и генерации информационных сигналов. Сущность: способ получения кремниевых наноструктур включает воздействие физико-химическим фактором на кремнийсодержащее вещество и последующее осаждение выделяющегося при упомянутом воздействии кремния в нанополостях силикатной матрицы. Новым в способе является нагрев со скоростью 20-500oС/мин самой матрицы в восстановительной среде до 700-950oС и выдержка ее при этой температуре в течение времени, определяемого из предварительно построенной зависимости заданного размера наноструктуры от времени нагрева матрицы. Матрица может иметь открытые нанополости на поверхности. Матрица может быть выполнена из обезвоженного опала. Нагрев матрицы может быть осуществлен при пониженном давлении среды, например при давлении 10-5-10-6 мм рт. ст. Технический результат изобретения заключается в обеспечении возможности формирования наноструктур различной конфигурации как в объеме матрицы, так и на ее поверхности. 4 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента