На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДЕФЕКТНОСТИ ПЛЕНОК КРЕМНИЯ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖКАХ | ![](Images/non.gif) |
Номер публикации патента: 2185684 | ![](Images/empty.gif) |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L021/66 | Аналоги изобретения: | ГАСТЕВ В.В. и др. Особенности переходного слоя эпитаксиальный кремний - сапфир. Электронная техника, сер. Материалы, 1988, вып.4 (233), с. 28-31. SU 671605 А, 23.09.1985. RU 2033660 С1, 20.04.1995. RU 2127927 С1, 20.03.1999. JP 2000031229 А, 28.01.2000. |
Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | Изобретатели: | Латышева Н.Д. Скупов В.Д. Смолин В.К. | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | ![](Images/empty.gif) |
Изобретение может быть использовано в технологии микроэлектроники для контроля дефектности приборных слоев интегральных схем или дискретных приборов, изготавливаемых на структурах типа "кремний на сапфире". Сущность изобретения: в способе контроля дефектности пленок кремния на диэлектрических подложках, основанном на эллипсометрических измерениях показателя преломления пленок, измерения выполняют до и после облучения структур рентгеновским излучением с энергией 60-150 кэВ и дозой (2,5-4,0)10-4 Кл
|