|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛЕНКИ |  |
Номер публикации патента: 2189663 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/205 | | Аналоги изобретения: | JP 7022333 А, 24.01.1995. JP 7263354 А, 13.10.1995. US 4834831 А, 30.05.1989. RU 2026896 С1, 20.01.1995. Технология СБИС./Под ред. С.ЗИ, Книга 1, - М.: Мир, 1986, с.138. |
| Имя заявителя: | МАЦУШИТА ЭЛЕКТРИК ИНДАСТРИАЛ КО., ЛТД. (JP) | | Изобретатели: | КИТАГАВА Масатоши (JP)
ЙОШИДА Акихиса (JP)
ШИБУЯ Мунехиро (JP)
СУГАИ Хидео (JP) | | Патентообладатели: | МАЦУШИТА ЭЛЕКТРИК ИНДАСТРИАЛ КО.
ЛТД. (JP) |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: способ получения тонкой полупроводниковой пленки включает в себя стадии введения газа-источника в вакуумную камеру и разложения газа с использованием высокочастотной индуктивно-связанной плазмы, генерируемой за счет подачи высокочастотной энергии, и формирование заданной тонкой полупроводниковой пленки на подложке с помощью процесса химического осаждения пара с использованием разложенного газа-источника, в котором условиями кристаллизации фор
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента