|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДА ШОТТКИ |  |
Номер публикации патента: 2197767 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/329 | | Аналоги изобретения: | С.С.Сhang et all. А Zero-bias GaAs Millimeter Wave Integrated Detector Circuit. IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest. 1982, р. 206-208. RU 94018447 А1, 20.08.1996. ЕР 0810644 А2, 03.12.1997. US 3699408 А, 17.10.1972. |
| Имя заявителя: | Бляшко Юрий Руфинович | | Изобретатели: | Бляшко Ю.Р.
Душева Л.Н. | | Патентообладатели: | Бляшко Юрий Руфинович |
Реферат | |
Использование: при изготовлении низкобарьерных диодов Шоттки на арсениде галлия. Сущность изобретения: в способе изготовления диода Шоттки, включающем фотолитографию рисунка барьерной области, нанесение на эту область многокомпонентной металлической пленки методом вакуумного термического напыления и термообработку металлической пленки с последующим охлаждением, в качестве металлической пленки используют эвтектический сплав Au-Ge, который наносят на холодную подложку с последующей взрывной литогра
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента