|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ МОНТАЖА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ БОЛЬШИХ РАЗМЕРОВ В КОРПУСА |  |
Номер публикации патента: 2212730 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/52 | | Аналоги изобретения: | Маслов К.В. и др. Монтаж кристаллов БИС с использованием припоя на основе цинка. - Электронная промышленность, 1989, №6, с.24-26. RU 99108102 A, 27.01.2001. RU 2042232 C1, 20.08.1995. RU 2033659 C1, 20.04.1995. EP 031026 A1, 17.05.1989. EP 0788150 A2, 06.08.1997. US 4972988 A, 27.11.1990. |
| Имя заявителя: | Воронежский государственный технический университет,ООО Консультационно-технический центр "Электроника" | | Изобретатели: | Зенин В.В.
Беляев В.Н.
Сегал Ю.Е. | | Патентообладатели: | Воронежский государственный технический университет
ООО Консультационно-технический центр "Электроника" |
Реферат | |
Использование: при изготовлении мощных полупроводниковых приборов и БИС при сборке кремниевых кристаллов в корпуса путем пайки припоями, не содержащими свинец. Способ монтажа полупроводниковых кристаллов больших размеров в корпуса предусматривает напыление алюминия толщиной 0,7-1,2 мкм на коллекторную сторону кристалла и пайку к корпусу, покрытому припоем.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента