|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЗАПОМИНАЮЩЕЙ ЯЧЕЙКИ С ОТДЕЛЬНЫМ ТУННЕЛЬНЫМ ОКНОМ |  |
Номер публикации патента: 2225055 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/336 H01L029/788 | | Аналоги изобретения: | US 4794562, 27.12.1988. US 5633186, 27.05.1997. ЕР 655785, 31.05.1995. ЕР 55408, 07.07.1982. ЕР 905790, 31.03.1999. ЕР 100572, 15.02.1984. JP 11-126834, 11.05.1999. JP 10-116922, 06.05.1998. JP 09-321255, 12.12.1997. JP 09-148542, 06.06.1997. US 5079603, 07.01.1992. SU 1053638, 30.12.1994. |
| Имя заявителя: | ИНФИНЕОН ТЕКНОЛОДЖИЗ АГ (DE) | | Изобретатели: | ВАВЕР Петер (DE)
ШПРИНГМАНН Оливер (DE)
ВОЛЬФ Конрад (DE)
ХАЙТЦШ Олаф (DE)
ХУККЕЛЬС Кай (DE)
РЕННЕКАМП Райнхольд (DE)
РЕРИХ Маик (DE)
ШТАЙН ФОН КАМИНСКИ Элард (DE)
КУТТЕР Кристоф (DE)
ЛУДВИГ Кристоф (DE) | | Патентообладатели: | ИНФИНЕОН ТЕКНОЛОДЖИЗ АГ (DE) |
Реферат | |
Изобретение относится к способу изготовления энергонезависимой полупроводниковой запоминающей ячейки (SZ) с отдельной ячейкой (ТF) с туннельным окном, причем туннельную область (TG) с использованием ячейки (ТF) с туннельным окном в качестве маски выполняют на позднем этапе туннельной имплантации (IТ).
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента