|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ СОЗДАНИЯ СТРУКТУРЫ - КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ ДЛЯ СБИС |  |
Номер публикации патента: 2234164 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/762 | | Аналоги изобретения: | US 5387555 А, 07.02.1995. SU 1814430 A1, 20.04.1996. RU 2071145 C1, 27.12.1996. RU 2149481 C1, 20.05.2000. RU 2173914 C1, 20.09.2001. |
| Имя заявителя: | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU) | | Изобретатели: | Горнев Е.С. (RU)
Громов Д.Г. (RU)
Евдокимов В.Л. (RU)
Гаврилов С.А. (RU)
Лукасевич М.И. (RU)
Мочалов А.И. (RU)
Сулимин А.Д. (RU) | | Патентообладатели: | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU) |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления структур кремний - на - изоляторе для СБИС. Техническим результатом изобретения является повышение качества структур кремний на изоляторе и процента выхода годных структур за счет создания сплошной границы между пластинами без образования полостей.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента