|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП ТРАНЗИСТОРА С ЛОКАЛЬНЫМИ УЧАСТКАМИ ЗАХОРОНЕННОГО ИЗОЛЯТОРА |  |
Номер публикации патента: 2235388 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/336 | | Аналоги изобретения: | US 5712173 A, 27.01.1998. US 5955767 A, 21.09.1999. GB 2182489 A, 13.05.1987. DE 3726842 A1, 18.02.1988. RU 2164719 C1, 27.03.2001. |
| Имя заявителя: | Институт микроэлектроники и информатики РАН (RU) | | Изобретатели: | Денисенко Ю.И. (RU)
Кривелевич С.А. (RU) | | Патентообладатели: | Институт микроэлектроники и информатики РАН (RU) |
Реферат | |
Использование: в электронной технике, при производстве интегральных схем с повышенной радиационной стойкостью. Технический результат изобретения – упрощение технологического процесса при одновременном повышении надежности функционирования МДП приборов. Сущность изобретения: в способе изготовления МДП транзистора с локальными участками захороненного изолятора на поверхности подложки из кремния первого типа проводимости формируют изолирующий слой вокруг активных областей транзистора, формируют затв
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента