|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИМС |  |
Номер публикации патента: 2236063 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/762 | | Аналоги изобретения: | SU 1060066 А1, 27.03.1996. SU 1340500 А1, 20.04.1996. RU 2108638 С1, 10.04.1998. US 6255190 В1, 03.07.2001. US 5643822 А, 01.07.1997. US 4104086 А, 01.08.1978. |
| Имя заявителя: | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU) | | Изобретатели: | Манжа Н.М. (RU) | | Патентообладатели: | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU) |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике. Сущность изобретения: способ включает следующие операции: формирование в кремниевой подложке первого типа проводимости областей первого и второго типов проводимости, эпитаксиального слоя, диэлектрических слоев, травление щелей в эпитаксиальном, скрытом слоях и в подложке на глубину, равную ширине обедненного заряда донной части р-n перехода скрытый слой - подложка, обеспечивающее вертикальность вытравленных щелей, формирование диэлектрических слоев на вертикальн
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента