|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНОГО СИЛОВОГО МОП ТРАНЗИСТОРА |  |
Номер публикации патента: 2239912 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/336 | | Аналоги изобретения: | US 4818719 А, 04.04.1989. US 5550064 А, 27.08.1996. US 5976923 А, 02.11.1999. US 6160289 А, 12.12.2000. US 5424226 А, 13.06.1995. SU 1828723 А3, 10.02.1996. |
| Имя заявителя: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (RU),Государственное учреждение Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ (RU) | | Изобретатели: | Королев М.А. (RU)
Тихонов Р.Д. (RU)
Швец А.В. (RU) | | Патентообладатели: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (RU)
Государственное учреждение Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ (RU) |
Реферат | |
Использование: в полупроводниковой силовой электронике. Техническим результатом изобретения является уменьшение сопротивления открытого транзистора, уменьшение входной емкости, увеличение пробивного напряжения стока планарного силового МОП транзистора, повышение воспроизводимости параметров прибора. Сущность изобретения: между истоковой диффузионной областью и подзатворной областью сформирована область с изолирующим окислом (локосом) и диффузионная область в подложке под изолирующим окислом (локо
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента