|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИОННО - ЛУЧЕВОГО ЛЕГИРОВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ |  |
Номер публикации патента: 2258977 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/265 | | Аналоги изобретения: | МЕЙЕР Дж и др., Ионное легирование полупроводников. М. Мир, 1973, стр.251-278. SU 420015 A, 08.08.1974. SU 591087 A, 28.02.1980. RU 2193080 C2, 20.11.2002. DE 19855164 A1, 31.05.2000. |
| Имя заявителя: | Российская Федерация от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство Российской Федерации по атомной энергии (RU),Федеральное Государственное Унитарное предприятие научно-исследовательский институт измерительных систем им.Ю.Е.Седакова (RU) | | Изобретатели: | Смолин В.К. (RU)
Скупов В.Д. (RU)
Земсков М.В. (RU) | | Патентообладатели: | Российская Федерация от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство Российской Федерации по атомной энергии (RU)
Федеральное Государственное Унитарное предприятие научно-исследовательский институт измерительных систем им.Ю.Е.Седакова (RU) |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для формирования в кристаллах областей с различным типом и величиной электропроводности с помощью имплантации ионов средних (10-500 кэВ) энергий. Технический результат: повышение концентрации электрически активной примеси и степени однородности распределения в легированном слое за счет снижения остаточной дефектности в кристалле.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента