|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРО - И НАНОПРИБОРОВ НА ЛОКАЛЬНЫХ ПОДЛОЖКАХ |  |
Номер публикации патента: 2267832 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/82 | | Аналоги изобретения: | Y.Sasaki et al. High-speed GaAs Epitaxial lift-off and bonding with high alignment accuracy using a sapphire plate», Journal of the Electrochemical Society, 146(2), 1999, p.710-712. RU 2179458 C2, 20.02.2002. RU 2214359 C1, 20.10.2003. US 6274007 B1, 14.08.2001. WO 03/099707 A2, 04.12.2003. |
| Имя заявителя: | Принц Александр Викторович (RU) | | Изобретатели: | Принц Александр Викторович (RU)
Принц Виктор Яковлевич (RU) | | Патентообладатели: | Принц Александр Викторович (RU) |
Реферат | |
Использование: изобретение может быть использовано в области полупроводниковой техники при изготовлении интегральных схем, полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле и их частей. Техническим результатом изобретения является изготовление полупроводниковых приборов, где в одной схеме сочетаются приборные структуры, расположенные на разных локальных подложках, т.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента