|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ КОРРЕКЦИИ СПЕКТРАЛЬНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ФОТОРЕЗИСТОРА ЛАЗЕРНЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ |  |
Номер публикации патента: 2276428 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/428 | | Аналоги изобретения: | US 4374678 А, 22.02.1983. US 4376659 А, 15.03.1983. RU 2000630 С, 07.09.1993. |
| Имя заявителя: | Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого (RU) | | Изобретатели: | Средин Виктор Геннадьевич (RU)
Сахаров Михаил Викторович (RU)
Суховей Сергей Борисович (RU)
Федичев Андрей Валерьевич (RU)
Чеканова Галина Васильевна (RU)
Кулиев Шамиль Васифович (RU) | | Патентообладатели: | Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого (RU) |
Реферат | |
Использование: для расширения области спектральной чувствительности фоторезисторов инфракрасного диапазона, что позволит корректировать область чувствительности инфракрасных фоторезисторов без демонтажа оптикоэлектронных систем, их содержащих, и без их замены. Сущность: коррекция производится прямым фронтальным воздействием импульса лазера с энергией кванта, превышающей ширину запрещенной зоны материала не менее чем на 0,1 Eg, на чувствительный элемент полупроводникового фоторезистора на основе т
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента