|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СТРУКТУРА БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА С ЭМИТТЕРОМ СУБМИКРОННЫХ РАЗМЕРОВ И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2279733 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/73 H01L021/331 | | Аналоги изобретения: | RU 2099814 C1, 20.12.1997. RU 2106719 C1, 10.03.1998. US 5175607 А, 29.12.1992. ЕР 0301468 А2, 01.02.1989. |
| Имя заявителя: | Открытое акционерное общество "НИИ Молекулярной Электроники и завод "МИКРОН" (RU) | | Изобретатели: | Долгов Алексей Николаевич (RU)
Еременко Александр Николаевич (RU)
Клычников Михаил Иванович (RU)
Кравченко Дмитрий Григорьевич (RU)
Лукасевич Михаил Иванович (RU)
Манжа Николай Михайлович (RU) | | Патентообладатели: | Открытое акционерное общество "НИИ Молекулярной Электроники и завод "МИКРОН" (RU) |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике. Сущность изобретения: структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров содержит кремниевую подложку первого типа проводимости со скрытым слоем второго типа проводимости, размещенный на подложке эпитаксиальный слой второго типа проводимости, боковую изоляцию в эпитаксиальном слое вокруг области коллектора транзистора второго типа проводимости над скрытым слоем, первый слой диэлектрика на эпитаксиальном слое с окнами, электрод эмиттера из первог
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента