|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА |  |
Номер публикации патента: 2280915 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/329 | | Аналоги изобретения: | Фесюк К.Л. и др. Исследование и разработка процесса диффузии галлия для создания базы высоковольтных кремниевых приборов. Технология полупроводниковых приборов. Таллин, 1982, с.151. SU 1114242 A1, 15.07.1993. SU 1284415 A1, 15.05.1995. GB 1523012 А, 31.08.1978. |
| Имя заявителя: | Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (RU) | | Изобретатели: | Мустафаев Абдулла Гасанович (RU)
Кумахов Адиль Мухадинович (RU)
Мустафаев Арслан Гасанович (RU) | | Патентообладатели: | Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводникового прибора включает кремниевую полупроводниковую пластину с эпитаксиальным слоем, в которой формируются базовая и эмиттерная области. Низколегированную базу формируют имплантацией бора ионным легированием области базы дозой 8-10 мкКл·см-2, энергией 120-170 КэВ с последующей загонкой бора при температуре 600-1250°С в течение 6-12 часов.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента