|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ |  |
Номер публикации патента: 2298250 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/265 | | Аналоги изобретения: | JP 1291445 A, 24.11.1989. SU 1098456 A1, 07.03.1993. SU 1145838 A1, 15.07.1993. US 2004115874 A, 17.06.2004. |
| Имя заявителя: | Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (RU) | | Изобретатели: | Мустафаев Абдулла Гасанович (RU)
Кармоков Ахмед Мацович (RU)
Мустафаев Арслан Гасанович (RU)
Мустафаев Гасан Абакарович (RU) | | Патентообладатели: | Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (RU) |
Реферат | |
Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение токов утечки полупроводниковых приборов, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. Сущность: способ изготовления полупроводниковой структуры включает формирование на полупроводниковой подложке изолирующего диэлектрика и формирование на изолирующем диэлектрике тонкой кремниевой пленки.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента