|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ |  |
Номер публикации патента: 2301476 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/324 | | Аналоги изобретения: | RU 2244984 С1, 20.01.2005. RU 2164719 С1, 27.03.2001. US 6841457 В2, 11.01.2005. US 6323109 B1, 27.11.2001. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU) | | Изобретатели: | Попов Владимир Павлович (RU)
Тысченко Ида Евгеньевна (RU) | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и направлено на повышение качества гетероструктур, расширение технологической сферы применения способа. Сущность изобретения: в способе изготовления гетероструктуры, заключающемся в том, что в подложку осуществляют имплантацию ионов, предварительно на подложке формируют аморфный слой, а затем в аморфный слой на подложке имплантируют ионы слаборастворимой и легко сегрегирующей примеси или слаборастворимых и легко сегрегирующих примесей при услов
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента