|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОСОВМЕЩЕННОГО ПЛАНАРНОГО ДВУХЗАТВОРНОГО МОП - ТРАНЗИСТОРА НА КНИ ПОДЛОЖКЕ |  |
Номер публикации патента: 2312422 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/336 | | Аналоги изобретения: | US 548277 A, 09.01.1996. US 5120666 А, 09.01.1992. ЕР 0418983 А1, 27.03.1001. RU 2175460 С2, 27.10.2001. |
| Имя заявителя: | Государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной Техники" (RU) | | Изобретатели: | Кузнецов Евгений Васильевич (RU)
Рыбачек Елена Николаевна (RU)
Сауров Александр Николаевич (RU) | | Патентообладатели: | Государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной Техники" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии производства интегральных схем на подложках типа - кремний на изоляторе (КНИ) и может быть использовано для создания транзисторых структур с предельно минимальными размерами для УБИС. Сущность изобретения: в способе изготовления самосовмещенного двухзатворного планарного МОП-транзистора на КНИ-подложке, включающем создание на поверхности пластины рабочих и изолирующих областей двухзатворного транзистора, модификацию скрытого окисла, формирование туннеля в скрыто
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента