|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ GaN/AlGaN |  |
Номер публикации патента: 2315390 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/28 | | Аналоги изобретения: | US 6897137 В2, 24.05.2005. RU 2186447 С2, 27.07.2002. US 6852615 В2, 08.02.2005. CN 1734732, 15.02.2006. KR 100299665 B, 11.06.2001. KR 20030075750, 26.09.2003. JP 7254733, 03.10.1995. |
| Имя заявителя: | Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование" (RU) | | Изобретатели: | Великовский Леонид Эдуардович (RU)
Александров Сергей Борисович (RU)
Погорельский Юрий Васильевич (RU) | | Патентообладатели: | Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии формирования омических контактов к полупроводниковым структурам GaN/AlGaN и может быть использовано при изготовлении приборов микроэлектроники, в частности полевых транзисторов СВЧ-диапазона. Сущность изобретения: в способе изготовления омических контактов полупроводниковой гетероструктуры GaN/AlGaN, включающем последовательное напыление Ti, Al, Ni, Au на участок поверхности слоя AlGaN и быстрый термический отжиг полупроводниковой гетероструктуры, быстрый термич
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента