|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ |  |
Номер публикации патента: 2316845 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/3065 | | Аналоги изобретения: | K.D.Shatz and D.N.Ruzic. An electron-beam plasma source and geometry for plasma processing. Plasma Sources Science and Technology. 1993, v.2, p.100-105. SU 812148 A, 23.12.1982. RU 2090951 C1, 20.09.1997. DE 10246181 A, 15.04.2004. JP 5067589 A, 19.03.1993. JP 1047030 A, 21.02.1989. |
| Имя заявителя: | ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИРЭ РАН) (RU) | | Изобретатели: | Шустин Евгений Германович (RU)
Исаев Николай Васильевич (RU)
Федоров Юрий Владимирович (RU) | | Патентообладатели: | ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИРЭ РАН) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии производства приборов полупроводниковой электроники, в частности к способам травления структур на поверхности полупроводниковых пластин. Сущность изобретения: плазмохимическое травление материала осуществляют путем воздействия на его поверхность потока ионов из плазмы, образованной из рабочего газа, заполняющего вакуумированную камеру, при этом для генерации плазмы воздействуют на рабочий газ электронным пучком.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента