|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ |  |
Номер публикации патента: 2321101 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/78 | | Аналоги изобретения: | RU 2004129703 А, 20.03.2006. RU 2258978 С2, 20.08.2005. RU 2022399 C1, 30.10.1994. SU 1102433 A1, 15.07.1993. |
| Имя заявителя: | ФГУП "НИИ физических измерений" (RU) | | Изобретатели: | Баринов Илья Николаевич (RU)
Козин Сергей Алексеевич (RU) | | Патентообладатели: | ФГУП "НИИ физических измерений" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении чувствительных элементов датчиков давлений. Изобретение направлено на повышение технологичности способа, повышение выхода годных кристаллов, повышение метрологических характеристик кристаллов. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводниковых приборов, включающем создание на одной из сторон кремниевой пластины областей с элементами топологии полупроводниковых приборов и разделение пластины на кри
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента