|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ФОТОЛИТОГРАФИИ |  |
Номер публикации патента: 2325000 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/308 | | Аналоги изобретения: | SU 385354 А, 15.10.1973. RU 2111576 C1, 20.05.1998. RU 2096935 C1, 20.11.1997. TW 411500 B, 11.11.2000. EP 0269219 A2, 01.06.1988. US 5667940 A, 16.09.1997. US 6664032 B2, 16.12.2003. US 6881524 B2, 19.04.2005. |
| Имя заявителя: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева" (RU) | | Изобретатели: | Бухаров Александр Александрович (RU)
Шарамазанова Мария Мовлидгаджиевна (RU) | | Патентообладатели: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, а также однослойных и многослойных печатных плат. Сущность изобретения: в способе фотолитографии вначале на поверхность единственного защитного слоя наносят первый слой фоторезиста, в котором формируют первый задубленный рельеф из фоторезиста таким образом, что одна часть границ этого рельефа совпадает с соответствующей частью границ требуемого профиля, подле
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента