|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПЛАСТИНА БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА ИЗ SiC И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2327248 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/205 | | Аналоги изобретения: | ЕР 0916750 А1, 19.05.1999. JP 10055975 A, 24.02.1998. RU 2154698 С2, 20.08.2000. US 5746827 А, 05.05.1998. US 6110279 А, 29.08.2000. JP 2000012462 А, 14.01.2000. JP 2002053395 А, 19.02.2002. RU 2100870 С1, 27.12.1997. |
| Имя заявителя: | МИЦУИ ИНДЖИНИРИНГ ЭНД ШИПБИЛДИНГ КО. ЛТД. (JP) | | Изобретатели: | НИСИНО Сигехиро (JP)
МУРАТА Кацутоси (JP) | | Патентообладатели: | МИЦУИ ИНДЖИНИРИНГ ЭНД ШИПБИЛДИНГ КО. ЛТД. (JP) |
Реферат | |
Изобретение относится к пластине SiC с наружным диаметром шесть дюймов и способу ее получения. Для экономичного изготовления полупроводникового устройства на основе SiC, существующую линию изготовления устройств на основе Si используют таким образом, чтобы обеспечить возможность манипулирования пластиной малого диаметра из SiC.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента