|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА С НИЗКОЙ ПЛОТНОСТЬЮ ДЕФЕКТОВ |  |
Номер публикации патента: 2330349 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/324 | | Аналоги изобретения: | US 4962051 А, 09.10.1990. SU 1797403 A1, 27.03.1995. JP 2002134722 A, 10.05.2002. JP 11329968 A, 30.11.1999. |
| Имя заявителя: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (RU) | | Изобретатели: | Мустафаев Абдулла Гасанович (RU)
Мустафаев Гасан Абакарович (RU)
Мустафаев Арслан Гасанович (RU) | | Патентообладатели: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (RU) |
Реферат | |
Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение плотности дефектов в полупроводниковых приборах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. Сущность изобретения: сапфировую подложку до стадии эпитаксиального роста кремниевой пленки обрабатывают ионами кислорода дозой 5·1012-1·1013 см-2 с энергией 15-30 кэВ, с последующим отжигом при температуре
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента